Questão 12741 —

Resposta: B

Os itens I e II estão corretos. No item I, a afirmação é verdadeira: para um MOSFET de canal N entrar em condução (region de depleção/triodo), a tensão gate-source (VGS) deve ultrapassar a tensão de limiar (Vth), ou seja, VGS > Vth. No item II, também correto: na região ôhmica (ou região linear/triodo), o MOSFET funciona como um resistor controlado por tensão, com a resistência entre dreno e source variando com a tensão aplicada na gate. No item III está incorreto: a corrente de dreno (ID) pode ser aumentada elevando-se VGS (aumentando a largura do canal condutor) sem necessariamente aumentar VDS. Na região ôhmica, ID depende tanto de VGS quanto de VDS, mas não é necessário aumentar VDS para aumentar ID—basta aumentar VGS. Portanto, apenas I e II são corretos.