Devido a uma falha no processo de fabricação de uma junção PN de silício, o lado P ficou sem dopagem. Considerando a temperatura de 300 K, número intrínseco do silício de, aproximadamente, 10 e/cm3 e

Question

Devido a uma falha no processo de fabricação de uma junção PN de silício, o lado P ficou sem dopagem. Considerando a temperatura de 300 K, número intrínseco do silício de, aproximadamente, 10 e/cm3 e o número de doadores do lado N igual a 3 x 1016/cm3 , a voltagem na barreira de potencial dessa junção é de aproximadamente (Obs: constante de Boltzman (k) = 1,38 x 10-23 J/K; carga do elétron (q) = 1,6 x 10-19 C; ln(3)≈1,1 e ln(10)≈2,3)

Accepted Answer

0,38 V

Answer

0,1 V

Answer

0,19 V

Answer

0,77 V

Answer

1,54 V

Questão 14250 —

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